湖南大学电气工程专业导师介绍：王俊

　　?基本情况
　　王俊，男，汉族，1979年7月出生于湖北省黄冈市，湖南大学电气与信息工程学院教授、博士生导师，2013年国家“青年千人计划”特聘专家，“湖南大学超大功率半导体研究中心”副主任。
　　Email：junwang@hnu.edu.cn,jwangncsuchn@gmail.com。

　　?学习工作经历
　　1996.9—2000.7中国华中科技大学电子科学与技术系学士
　　2000.9—2003.7中国中国科学院半导体研究所固体电与微电子学专业硕士
　　2003.8—2005.5美国南卡罗莱纳大学电子工程专业硕士
　　2005.6—2009.12美国北卡罗莱纳州立大学电子工程专业博士
　　2010.2—2013.12美国德州仪器公司器件设计工程师
　　2014.1—至今中国湖南大学教授

　　?主要研究方向
　　近十年主要从事功率半导体器件及其在电力电子系统中应用的研究，研制了世界首个碳化硅ETO晶闸管，在国际高水平刊物和会议上已发表论文三十余篇，获2项美国发明专利。主要研究方向包括：1）硅基功率器件的研究，2）碳化硅（SiC）功率器件及电力电子应用的研究，3）氮化镓（GaN）器件的研究。欢迎具有物理、材料、电气或电子等学科背景的学生报考硕士和博士研究生。

　　?代表性论文、著作、专利
　　1. J. Wang, S. Xu, J. Korec, “Power MOSFET with Integrated Gate Resistor and Diode-Connected MOSFET”, United States Patent 8614480.
　　2. J. Korec, S. Xu, J. Wang, B. Yang, “Capacitors and Methods of Forming”, United States Patent 8722503.
　　3. Y. Du, J. Wang, G. Wang, A. Q. Huang, "Modeling of the High-Frequency Rectifier With 10-kV SiC JBS Diodes in High-Voltage Series Resonant Type DC-DC Converters", IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no. 8, August 2014, pp.4288-4300.
　　4. B. Yang, J. Wang, S. Xu, J. Korec, Z. Shen, "Advanced Low-Voltage Power MOSFET Technology for Power Supply in Package Applications", IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 28, no. 9, September 2013, pp.4202-4215.
　　5. J. Wang, A. Q. Huang, W. Sung, Y. Liu, B. J. Baliga, “Smart grid technologies,” IEEE Industrial Electronics Magazine, vol. 2, no. 2, Jun. 2009, pp. 16-23.
　　6. J. Wang, A. Q. Huang, “Design and Characterization of High Voltage Silicon Carbide Emitter Turn-off Thyristor (SiC ETO),” IEEE Transaction on Power Electronics, vol. 24, no. 5, May 2009, pp. 1189-1197.
　　7. J. Wang, T. Zhao, A. Q. Huang, R. Callanan, A. Agarwal, “Characterization, Modeling and Application of 10 kV SiC MOSFET,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 8, pp. 1798-1806, Aug. 2008.
　　8. J. Wang, A. Q. Huang, S. Atcitty, I. Gyuk, “Silicon Carbide Emitter Turn-off Thyristor (SiC ETO),” International Journal of Power Management Electronics, Volume 2008, Article ID 891027, 5 pages, 2008.
　　9. J. Wang, J. Li, T. Zhao, A. Q. Huang, R. Callanan, F. Husna, A. Agarwal, “10 kV SiC MOSFET Based Boost Converter,” IEEE Transaction on Industry Applications, vol. 45, no. 6, pp. 2056-2063, September, 2009.
　　10. J. Wang, D. Zhao, Y. Sun, Wang, S. Zhang, H. Yang, S. Zhou and M. Wu, “Thermal annealing behavior of Pt on n-GaN Schottky contacts,” JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, Vol. 36, 2003, pp. 1018-1022.